標題: 0.18微米製程之低導通電阻700伏特橫向雙擴散場效電晶體設計
Design of 700V LDMOSFET with Low Rds(on) in 0.18um Technology
作者: 郭明奇
Kuo, Ming-Chi
趙昌博
Chao, Chang-Po
電機學院電機與控制學程
關鍵字: 橫向雙擴散金氧半場效電晶體;LDMOS
公開日期: 2015
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079867516
http://hdl.handle.net/11536/126751
顯示於類別:畢業論文