金屬及金屬矽化物技術

Abstract

在超大型積體電路(VLSI)應用上經常使用鋁,多 晶矽,金屬多晶矽化物及金屬矽化物來當活性區 接觸或多層間之接道(Via/Plug)材料.然而,這些材料 在高密度及高性能極大型積體電路應用上不再滿 足需求,因為有較大之縱橫比(Aspect Ratio).較高相 互連接電阻電子遷移,及材料極限等問題.本計畫, 我們將以(低溫低壓)電子迴旋加速共振超高真空 化學氣相磊晶技術有系統研究W/TiSi/sub 2/或TiN或 TiW或WSix/Si接觸及Al/W/Al接道(Vias/Plug)金屬材料技 術在極大型積體電路上(ULSI)應用.全部(Blanket)及 選擇性(Selective局部)模式之鎢(W)化學氣相沈積技術將做研究比較.同時研究工作將包含新的反應 器設計(冷壁式),新的沈積化學,新的乾式蝕刻技 術黏接層,步接覆蓋,平坦化,低溫氧化物,氮化物 絕緣層等.氣體流速,流入型態,壓力,基板溫度,支 持台旋轉及微波電力等對材料特性效應將被考慮 .實驗分析將包括SEM,TEM,SIMS,RBS,SRM,RGA,DLTS,TDDB,粗糙 度(晶粒大小),純度,I-V(接觸電阻及漏電流),C-V及 接觸可造度(MTF,電子遷移).本實驗研究結果將提 供高性能ULSI,CVD-W技術洽電子工業界.