二氧化鉿金屬橋樑電阻式記憶體之可靠度研究

標題:	二氧化鉿金屬橋樑電阻式記憶體之可靠度研究 Reliability Improvement in HfO2-Based Conductive Bridge Random Access Memory
作者:	黃楚傑曾俊元 Huang, Chu-Jie Tseng, Tseung-Yuen 電子工程學系電子研究所
關鍵字:	二氧化鉿;金屬橋樑電阻式記憶體;Hafnium-Oxide;Conductive Bridge Random Access Memory
公開日期:	2016
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070350167 http://hdl.handle.net/11536/138887
顯示於類別：	畢業論文