高效能氧化銦鎢薄膜電晶體元件研究與開發

標題:	高效能氧化銦鎢薄膜電晶體元件研究與開發 Investigation on High Performance Tungsten Oxide Doped Indium Oxide Semiconductor for Thin Film Transistors Application
作者:	張智翔劉柏村 Chang, Chih-Hsiang Liu, Po-Tsun 光電工程研究所
關鍵字:	薄膜電晶體;氧化銦鎢;背通道蝕刻;通道保護層;thin film transistors;indium tungsten oxide;back channel etching;channel passivation layer
公開日期:	2017
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070180503 http://hdl.handle.net/11536/140370
顯示於類別：	畢業論文