完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 洪哲逸 | en_US |
dc.contributor.author | Che-Yi Hung | en_US |
dc.contributor.author | 邱俊誠 | en_US |
dc.contributor.author | Dr. Jin-Chern Chiou | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T01:25:32Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T01:25:32Z | - |
dc.date.issued | 2003 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009067544 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/41269 | - |
dc.description.abstract | 本論文主要探討影響以PolyMUMPs可變電容取代傳統半導體製程可變電容的可行性,先探討影響PolyMUMPs製程中影響可變電容品質的因素,並於封裝量測前改變基底的厚度與其他介質基底的方式,以改變基底的寄生電阻與寄生電容,藉以改善信號因為基底效應而使得可變電容Q 值不佳的情形,然後將製作出的PolyMUMPs可變電容取代傳統半導體製程可變電容應用於壓控振盪器中,以達到原始目的 本論文先介紹靜電式可變電容的原理,其次敘述肌膚效應與半導體的基底效應的原理與其對於PolyMUMPs可變電容的影響並由兩種不同設計所量測的數據比較,接著介紹振盪器原理及相關特性,並以微機電可變電容取代傳統通訊電路中的變容二極體製作壓控振盪器,最後將介紹利以PolyMUMPs製程製作覆晶晶片,以提供與其他製程元件整合的方法 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 微機電系統 | zh_TW |
dc.subject | 壓控振盪器 | zh_TW |
dc.subject | 結構釋放 | zh_TW |
dc.subject | 懸浮樑 | zh_TW |
dc.subject | 焊墊 | zh_TW |
dc.subject | 焊線 | zh_TW |
dc.subject | MEMS | en_US |
dc.subject | VCO | en_US |
dc.subject | Release | en_US |
dc.subject | suspended beam | en_US |
dc.subject | PAD | en_US |
dc.subject | bonding wire | en_US |
dc.title | 微機電式壓控振盪器 | zh_TW |
dc.title | Micro Electromechanical base VCO | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電機學院電機與控制學程 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |