矽質奈米級電子元件的研究

Abstract

操作奈米尺度的元件近年來在各個產業被都被廣泛的討論著。在奈米尺度下，材料的特性以及載子的傳輸的機制，因為表面原子數佔總原子數的比例上升，與塊材(Bulk Material)有相當程度上的差異。在本篇論文中，我們採用掃描探針微影術 (Scanning Probe Lithography)，以鄰近樣品表面的探針引起局部的陽極氧化反應，配合Tetramethylammonium Hydroxide (TMAH) 對矽的晶向選擇性蝕刻，在Silicon on Insulator (SOI) 的晶片上，製作出不同的奈米元件結構，探討在奈米尺度下的一些電流傳導現象。我們嘗試製作具有單電子傳輸特性的元件，並在低溫下確實的發現其特性。