以磷擴散法除去矽晶內之雜質

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	蔡毓琵	en_US
dc.contributor.author	Cai, Yu-Chen	en_US
dc.contributor.author	陳茂傑	en_US
dc.contributor.author	Chen, Mao-Jie	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:08Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:08Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430054	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51423	-
dc.description.abstract	本文探討在矽晶片背面擴散一厚磷原子層來除去矽晶片內有害重金屬雜質的方法，并以三種模型來描述這種現象。這三種模型一致達到如下的結論：(一)擴散的磷原子濃度愈高愈好。(二)使雜質重新在此雙相系統( 即矽晶片本身及擴散的厚磷原子層) 達到平衡的溫度愈低愈好, 但需注意溫度過低時, 重金屬移動過慢而使平衡狀態下易達成。基於以上考慮,吾人提出一套新的磷擴散除去雜質的作業方法,并經由實驗證實有效。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	磷擴散法	zh_TW
dc.subject	矽晶片	zh_TW
dc.subject	雜質	zh_TW
dc.subject	厚磷原子層	zh_TW
dc.subject	有害重金屬	zh_TW
dc.subject	雙相系統	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	以磷擴散法除去矽晶內之雜質	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文