Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 王修明 | en_US |
dc.contributor.author | Wang, Xiu-Ming | en_US |
dc.contributor.author | 李崇仁 | en_US |
dc.contributor.author | 雷添福 | en_US |
dc.contributor.author | Li, Chong-Ren | en_US |
dc.contributor.author | Lei, Tian-Fu | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:11Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:11Z | - |
dc.date.issued | 1980 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430068 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51439 | - |
dc.description.abstract | 本文介紹一種偵測位置的半導體元件一矽質PIN 四象限光二極體, 說明其原理與設計 所須考慮要點并提供一套合宜的製作程序。由此製作出來的二極體在60伏特負向偏壓 100 歐姆負載的工作條件下, 它表現出偵測位置的特性與極高的工作速度( 小於50奈 秒 ) 和優良的光電轉換能力, 但卻隨而伴有100 奈安的漏電流。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 矽質PIN-一四象限 | zh_TW |
dc.subject | 半導體元件 | zh_TW |
dc.subject | 光電轉換能力 | zh_TW |
dc.subject | 偵測位置 | zh_TW |
dc.subject | 二極體 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 矽質PLN-四象限光二極體之設計及製作 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |