矽質PIN接面型及透穿崩潰型光二柱體之設計及製作

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	楊國鏘	en_US
dc.contributor.author	Yang, Guo-Qiang	en_US
dc.contributor.author	劉濬堯	en_US
dc.contributor.author	陳茂傑	en_US
dc.contributor.author	Liu, Jun-Yao	en_US
dc.contributor.author	Chen, Mao-Jie	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:02:12Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:02:12Z	-
dc.date.issued	1980	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430081	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51454	-
dc.description.abstract	本文提供一種用來生產高性能矽質 PIN 光二極體，而且具有極佳良率的製作程序。利用這種程序製作出來的光二極體（介面直徑為 1 毫米），在 60 伏特的操作電壓下，只有一奈穴（ nA ）的漏電流，而其崩潰電壓則大於 400 伏特，並且具有極高的操作速率。本文也提供製作透穿崩潰型光二極體的方法，由這種方法製作出來的光二極體，在 300 伏特電壓下的電流增益大約為 25。但是，由於漏電流偏高以及微電漿（ Microplasma ）的存在，製作的良率較差而有待改進。 #2811446 #2811446	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	矽質PIN	zh_TW
dc.subject	接面型	zh_TW
dc.subject	透穿崩潰型	zh_TW
dc.subject	光二柱體	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	矽質PIN接面型及透穿崩潰型光二柱體之設計及製作	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文