矽質PIN接面型及透穿崩潰型光二柱體之設計及製作

標題:	矽質PIN接面型及透穿崩潰型光二柱體之設計及製作
作者:	楊國鏘 Yang, Guo-Qiang 劉濬堯陳茂傑 Liu, Jun-Yao Chen, Mao-Jie 電子研究所
關鍵字:	矽質PIN;接面型;透穿崩潰型;光二柱體;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期:	1980
摘要:	本文提供一種用來生產高性能矽質 PIN 光二極體，而且具有極佳良率的製作程序。利用這種程序製作出來的光二極體（介面直徑為 1 毫米），在 60 伏特的操作電壓下，只有一奈穴（ nA ）的漏電流，而其崩潰電壓則大於 400 伏特，並且具有極高的操作速率。本文也提供製作透穿崩潰型光二極體的方法，由這種方法製作出來的光二極體，在 300 伏特電壓下的電流增益大約為 25。但是，由於漏電流偏高以及微電漿（ Microplasma ）的存在，製作的良率較差而有待改進。 #2811446 #2811446
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430081 http://hdl.handle.net/11536/51454
顯示於類別：	畢業論文