以計算機模擬計算複晶半導體之傳導現象

Abstract

本文發展出修正的多數載子在複晶半導體中之傳導模型，分別括以下三種修正效應： ぇ在複晶矽膜中載體捕捉乃隨能量之分佈修正為高斯函數。 え正確的解波松方程式而非一般的空乏近似解。 ぉ考慮晶粒與晶粒之間旋轉方向的效應，並且考慮橢圓能帶面而非圓形能帶面。 本文將這些修正模型所作的理論推導分別與前人的理論作比較。 我們觀察得到當截體捕捉函數改為高斯函數，分佈時則電阻係及主動能量對雜質濃度 的理論推導將更能接近實體測量質。 由於空乏近似解波松方程式導致電阻系數對晶粒大小之不尋常變化，將因正確的解波 松方程式而消除。 載體傳輸時晶格與晶核之間的方向性也將在本文中被考慮。而且本文亦將提供軏整的 計算機模擬程式。