以雷射處理法來減除矽晶片製造過程中所產生的缺陷

Abstract

本文探討在矽晶片背面用雷射處理，使得晶片在隨後的製程中，由於熱處理過程會使 得缺陷或是重金屬雜質由晶片表面轉移至背面。在此以三種實驗來驗證此一轉移現象 ，而達成如下的結論：(一)雷射能量有一有效範圍，在此範圍內，晶內片的表面由於 氧化熱處理而品質有所改善。(二)雷射處理至少可維持三次高溫氧化熱處理，使得晶 片表面的缺陷減少。但是當雷射能量太大時，會使得晶片表面的缺陷增加，反而降低 了晶片的質。基於上述的考慮，吾人提出一套雷射處理去除雜質或缺陷的作業方法， 並經實驗證實有效。