矽化鎢薄膜在複晶矽上的特性

Abstract

矽化鎢╱複晶矽薄膜由於它具有低電阻及可被氧化的特性，使得它在超大型積體電路 中，被用作場效電晶體的閘電極及元牛間之導線的機會愈加濃厚，其重要性已不可忽 略，矽化鎢薄膜係以雙電子槍蒸鍍系統備置而成，其中矽與鎢的原子數比介於2.1 和 2.8 之間。蒸鍍形成的矽化鎢╱複晶矽薄膜經過65 ℃到1100 ℃的各種高溫，配合不 同時間間燒結而成之後，再針對其各種特性，諸如：表面狀況、黏附性、片電阻和氧 化等進行研究和分析。