矽化鎢薄膜在複晶矽上的特性

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	廖宜智	en_US
dc.contributor.author	LIAO, YI-ZHI	en_US
dc.contributor.author	陳茂傑	en_US
dc.contributor.author	CHEN, MAO-JIE	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:06Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:06Z	-
dc.date.issued	1984	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430003	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52052	-
dc.description.abstract	矽化鎢╱複晶矽薄膜由於它具有低電阻及可被氧化的特性，使得它在超大型積體電路中，被用作場效電晶體的閘電極及元牛間之導線的機會愈加濃厚，其重要性已不可忽略，矽化鎢薄膜係以雙電子槍蒸鍍系統備置而成，其中矽與鎢的原子數比介於2.1 和 2.8 之間。蒸鍍形成的矽化鎢╱複晶矽薄膜經過65 ℃到1100 ℃的各種高溫，配合不同時間間燒結而成之後，再針對其各種特性，諸如：表面狀況、黏附性、片電阻和氧化等進行研究和分析。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	矽化鎢	zh_TW
dc.subject	複晶矽	zh_TW
dc.subject	蒸鍍系統	zh_TW
dc.title	矽化鎢薄膜在複晶矽上的特性	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文