标题: | 多层结构矽化钨之特性 |
作者: | 饶鸿麟 RAO, HONG-LIN 邱碧秀 GIU, BI-XIU 电子研究所 |
关键字: | 矽化钨;钨;积体电路 |
公开日期: | 1985 |
摘要: | 在积体电路中,矽化钨经常被用作内部连线,如钨含量较高时,则有相当严重的掀裂 及氧化问题。本报告即在探讨多层结构矽化钨之应用,以防止掀裂及氧化。 多层结构矽化钨被证实能防止钨的氧化,而分段退火则可避免掀裂,且能维持矽化钨 的低电阻特性。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430016 http://hdl.handle.net/11536/52418 |
显示于类别: | Thesis |