标题: 多层结构矽化钨之特性
作者: 饶鸿麟
RAO, HONG-LIN
邱碧秀
GIU, BI-XIU
电子研究所
关键字: 矽化钨;钨;积体电路
公开日期: 1985
摘要: 在积体电路中,矽化钨经常被用作内部连线,如钨含量较高时,则有相当严重的掀裂
及氧化问题。本报告即在探讨多层结构矽化钨之应用,以防止掀裂及氧化。
多层结构矽化钨被证实能防止钨的氧化,而分段退火则可避免掀裂,且能维持矽化钨
的低电阻特性。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430016
http://hdl.handle.net/11536/52418
显示于类别:Thesis