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dc.contributor.author謝明得en_US
dc.contributor.authorXIE, MING-DEen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWU, GING-YUANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:03:40Z-
dc.date.available2014-12-12T02:03:40Z-
dc.date.issued1985en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430031en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52434-
dc.description.abstract本文研究磷原子和硼原子同時存在,複晶矽電阻器電阻值在不同之退火溫度與時間之 處理條件下之變化特性。硼離子佈植劑量之變化範圍為2×1014/平方公分至1×1015/ 平方公分,而磷離子佈植劑量則固定為5×1014/平方公分。 基於磷原子有凝集於粒界之傾向,而硼原子則不會,我們提出一個新的n-p-p-n 多接 面結構模式解釋實驗的結果,且得到很好的定性解釋。利用本文所發展的技術,我們 可以得到相當高的電阻值,其大小可以利用不同的退火溫度與時間和濃度來加以控制 。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject超大型積體電路zh_TW
dc.subject積體電路zh_TW
dc.subject電阻zh_TW
dc.subject電阻器zh_TW
dc.subject複晶矽zh_TW
dc.subject磷原子zh_TW
dc.subject硼原子zh_TW
dc.subject原子zh_TW
dc.title超大型積體電路高電阻值複晶電阻器的製造技術及其新模型zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文