半導體絕綠層上微線的數值方法

Abstract

一種用富氏轉換空間變量方法，以類橫向模式的分析求得線電容的方法曾被使用過。 基於頻散的特性，本論文提出“假橫向模式近似”來代替“類橫向模式近似”。因此 ，傳播係數和特性阻抗就能以靜場方法計算出來。在矽晶片上製造一條微線，並量出 特性阻抗和傳播係數，顯出實驗結果和計算結果非常符合。本方法不僅用於微線上， 對於耦合線亦非常簡便。