從實測之散射參數求得大信號SPICE砷化鎵MESFET模型之最佳化

Abstract

本文提出一理想的大信號SPICE 砷化錠MESFET模型，它適用於大信號與小信號MMIC電 路之 I－ V測量值，然後再利用最佳化方法調整晶體模型內的敏感參數，以吻合實際 從 1到25GHz ，在某個偏壓下，所測得之散射參數。由此所之大信號SPICE 砷化錠ME SFET模型，亦能正確地預測在其他不同偏壓時的散射參數。本文中所提之晶體模型和 寬頻參數最佳化之概念，能使得SPICE 程式更有效地被應用於某些MMIC電路之設計， 譬如寬頻的Traveling Amplifier 以及大動態變化之放大器。