標題: 橢圓測試儀在薄膜測量方法上的研究與改進
作者: 何昭煌
HE, ZHAO-HUANG
李崇仁
雷添福
LI, CHONG-REN
LEI, TIAN-FU
電子研究所
關鍵字: 薄膜;測量;電子;橢圓測量技術;橢圓;測量技術;SURVEY;ELECTRONIC;ELLIPTICAL
公開日期: 1988
摘要: 在本論文中,我們對於〞橢圓測量技術〞應用於薄膜測量上的各種誤差問題做了深入 的研究,並且提出兩個新的數值技術,來處理各種誤差問題,經由理論以及實驗,證 實了所提出的數值處理技術有極高的準確度以及解析度,非常適用於各種薄膜的測量 。本技術已成功地用於薄氧化層、氮化矽、氮化之二氧化矽,氧化之氮化矽,以及矽 複晶的測量上。 本文共分兩大部份,第一部分(第二至第四章)討論折射係數(N-ik)的實數部 份(N)介於1•40與2•50之間的問題,而虛數部份(K)假設為0。第二部 份(第五章)則討論N介於2•50與3•80之間,而K不為0之問題。 在第一部份,首先討論橢圓測量技術用於測量二氧化矽厚度低於200A的各種誤差 問題及解決的方法。經由分析,發現當厚度低於200A時,由計算所得到的折射係 數及厚度受各種參數誤差的影響極大,也因而常常無法得到準確的結果,為了解決誤 差問題,吾人提出一種特殊的數值處理技術,可得到較準確的結果,此技術可被應用 於研究矽晶片雜質濃度對折射係數的影響,實驗發現,濃度高的矽晶片有較低的折射 係數。 接著,由理論上來探討前述所提出的方法中,降低誤差的主要原因。本研究用一般化 的兩層結構的物理模式來模擬材料的結構,這種兩層結構可簡化成單層結構,吾人發 現,新的數值處理技術對單層結構而言,誤差至少可降低2倍以上,而對兩層結構而 言,誤差至少能降低5倍以上,另一方面,為了減低測量中的〞不定誤差〞,我們也 提出了利用〞入射角〞對〞厚度〞的關係圖,將〝不定誤差〞以平均方式去除,同時 ,也發現本圖能用來量測隨深度任意改變的折射係數。本技術有很高的準確度及解析 能力,其厚度解能力可高至20A。 當折射係數大於2•50以上時,前面所提出的方法已無法達到降低誤差的要求,例 如當薄膜厚度離橢圓週期(ellipsometric period)小於±2 00A時,已有明顯的誤差產生,而且也非常容易產生數學運算中的數值發散問題, 在本文的第二部份(第五章)中,我們提出另一種新的降低誤差的數值技術,可解決 上述的問題,本方法比較適用於N較高(如高於2•50)的材料上。 本技術可用時分析折射係數中的實數部分(N)及虛數部份(K),其基本原理係利 用〞零層結構〞的物理模式來處理實驗的數據,而由Nse對〝厚度〞的關係圖求N 及K。我們以測量矽複晶為例子來介紹本技術,同時也對矽複晶成長溫度及高溫氮氣 回火處理對N及K的影響情形,做了初步的研究。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430008
http://hdl.handle.net/11536/53871
顯示於類別:畢業論文