標題: 次微米選擇性無電鍍鉑在矽化鈦上之研究
作者: 吳明昇
WU,MING-SHENG
張俊彥
ZHANG,JUN-YAN
電子研究所
關鍵字: 次微米選擇性無電;矽化鈦;超大型積體電路;氧化還原;金屬離子;接觸窗;矽基體;歐姆接觸
公開日期: 1989
摘要: 近來由於元件尺寸的大小越來越小,使得超大型積體電路特性越來越好,例如速度和 積體度都增加,但相對地面臨許多的問題,元件的平坦化、接線的時間延遲、接觸窗 的非歐姆接觸、自動對準、和漏電流等都有待解決。 對於上面所提的問題,一般的解決方法都是經過繁複的化學處理、在時間和成本上都 不甚理想。而在這論文裡,利用選擇性無電鍍的方法克服以上困難,它不但儀器簡單 、成本低且操作容易。 選擇性無電鍍是利用基本的氧化還原反應、使金屬離子選擇性地還原成金屬原子沉積 在接觸窗上,接觸窗的表面為矽化鈦結構,在矽基體和被鍍金屬中間,它可減低漏電 充並且形成歐姆接觸。 選擇性無電鍍在次微米矽化鈦接觸窗的技術已經被發展出來,它在超大型積體電路多 層金屬連線結構上的應用是相當具有吸引力的技術,在這論文,成功地使鉑無電鍍沉 積在矽化鈦接觸窗上,但卻不沉積在絕緣層上,因此省去了許多的蝕刻和光學對準等 步驟。 無電鍍鉑的溶液組成在本研究中成功地開發出來,以聯胺還原六氯化鉑酸,使鉑產生 自身催化沉積,沉積速率約每分鐘兩佰埃,而沉積物為非晶系狀態而這沉積層有相當 低的片電阻且沒有鈉污染,這技術亦達到良好的平坦化和選擇性的效果。 綜合以上結果,這技術有幾個好處,像你的操作溫度、簡單的儀器、快速的沉積速率 等,所以選擇性無電鍍鉑在未來超大型積體電路是一種值得採用的方法。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430115
http://hdl.handle.net/11536/54727
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