標題: 準分子脈衝雷射濺鍍高溫超導薄膜之製程研究
作者: 李澄鈴
LI,CHENG-LING
莊振益
吳光雄
許根玉
ZHUANG,ZHEN-YI
WU,GUANG-XIONG
XU,GEN-YU
光電工程學系
關鍵字: 準分子脈衝;電射濺鍍;高溫超導薄膜;基板溫度;氧氣分壓;能量密度;基板加熱方法;二氧化碳;(CO )
公開日期: 1990
摘要: 本論文之目的乃在尋求以準分子脈衝電射濺鍍in-situ 高溫超導蒲膜之最佳製程條件 。實驗上發現在以基板溫度550 ℃至750 ℃、濺鍍時氧氣分壓10 至1 Torr、準分子 雷射之能量密度0.3J╱cm∼5.8J╱cm 等之條件下, 配合本論文首先發現之非傳統式 基板加熱方法, 幾乎完全C-axis指向, Tco=90K 之高品質YBa Cu O 之超導薄膜, 可以極高效率insitu長在SrTiO 基板上, 此種基板加熱法乃是捨棄傳統的電阻式加熱 方法, 以避免真空腔於高溫下所可能產生之污染, 而以波長10.6um的二氧化碳(CO )電射光束直接加熱基板。經實驗發現利用此方法,在濺鍍完成以後,關掉CO 雷射 , 高品質的薄膜可以從600 ℃的高溫在50秒內快速冷卻至室溫, 而不須在高氧氣分壓 下緩慢冷卻或其他熱處理等後續製程, 此種有效率而又簡便的鍍膜江, 對未來製作電 子元件將有很大的實用性。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124033
http://hdl.handle.net/11536/55222
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