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dc.contributor.author王志強en_US
dc.contributor.authorWANG,ZHI-QINGen_US
dc.contributor.author謝正雄en_US
dc.contributor.authorXIE,ZHENG-XIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:08:14Z-
dc.date.available2014-12-12T02:08:14Z-
dc.date.issued1990en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124037en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55228-
dc.description.abstract利用複晶矽沉積層於V槽尖端厚於其它部份的特性,加上回蝕(Etching-Back)技術 , 我們可不須利用昂貴複雜的曝光技術而製造出短通道元件。VVMOS(V-Groove Ver- tex MOS )有較大的崩潰電壓及傳導電導, 加上雙擴散汲極結構, 我們製造出最小通 道長度0.6μm, 崩潰電壓9V、gm=35ms╱mm 的元件, 而最大崩潰電壓的元件乃DVVMOS (1E14)、L=1.2μm、V =14V. 其臨界電壓較平面型元件為大, 亦可利用一簡單模 型預測之。 我們將藉著這些元件來觀察短通道效應, 進而對DVVMOS的一些特性作探討。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject雙擴散汲極zh_TW
dc.subject短通道zh_TW
dc.subjectV型場效電晶體zh_TW
dc.subject被晶矽沉積層zh_TW
dc.subject回蝕(ETCHING-BACzh_TW
dc.subject曝光技術zh_TW
dc.subject短通道元件zh_TW
dc.subject崩潰電壓zh_TW
dc.subjectVVMOS(V-GROOVE-VERTEX-MOS)en_US
dc.title雙擴散汲極短通道V型場效電晶體zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
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