雙擴散汲極短通道V型場效電晶體

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	王志強	en_US
dc.contributor.author	WANG,ZHI-QING	en_US
dc.contributor.author	謝正雄	en_US
dc.contributor.author	XIE,ZHENG-XIONG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:08:14Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:08:14Z	-
dc.date.issued	1990	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124037	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/55228	-
dc.description.abstract	利用複晶矽沉積層於Ｖ槽尖端厚於其它部份的特性，加上回蝕（Etching-Back）技術 , 我們可不須利用昂貴複雜的曝光技術而製造出短通道元件。VVMOS（V-Groove Ver- tex MOS ）有較大的崩潰電壓及傳導電導, 加上雙擴散汲極結構, 我們製造出最小通道長度0.6μm, 崩潰電壓9V、gm=35ms╱mm 的元件, 而最大崩潰電壓的元件乃DVVMOS （1E14）、L=1.2μm、V ＝14V. 其臨界電壓較平面型元件為大, 亦可利用一簡單模型預測之。我們將藉著這些元件來觀察短通道效應, 進而對DVVMOS的一些特性作探討。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	雙擴散汲極	zh_TW
dc.subject	短通道	zh_TW
dc.subject	V型場效電晶體	zh_TW
dc.subject	被晶矽沉積層	zh_TW
dc.subject	回蝕(ETCHING-BAC	zh_TW
dc.subject	曝光技術	zh_TW
dc.subject	短通道元件	zh_TW
dc.subject	崩潰電壓	zh_TW
dc.subject	VVMOS(V-GROOVE-VERTEX-MOS)	en_US
dc.title	雙擴散汲極短通道V型場效電晶體	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
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