完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 王志強 | en_US |
dc.contributor.author | WANG,ZHI-QING | en_US |
dc.contributor.author | 謝正雄 | en_US |
dc.contributor.author | XIE,ZHENG-XIONG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:08:14Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:08:14Z | - |
dc.date.issued | 1990 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124037 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55228 | - |
dc.description.abstract | 利用複晶矽沉積層於V槽尖端厚於其它部份的特性,加上回蝕(Etching-Back)技術 , 我們可不須利用昂貴複雜的曝光技術而製造出短通道元件。VVMOS(V-Groove Ver- tex MOS )有較大的崩潰電壓及傳導電導, 加上雙擴散汲極結構, 我們製造出最小通 道長度0.6μm, 崩潰電壓9V、gm=35ms╱mm 的元件, 而最大崩潰電壓的元件乃DVVMOS (1E14)、L=1.2μm、V =14V. 其臨界電壓較平面型元件為大, 亦可利用一簡單模 型預測之。 我們將藉著這些元件來觀察短通道效應, 進而對DVVMOS的一些特性作探討。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 雙擴散汲極 | zh_TW |
dc.subject | 短通道 | zh_TW |
dc.subject | V型場效電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 被晶矽沉積層 | zh_TW |
dc.subject | 回蝕(ETCHING-BAC | zh_TW |
dc.subject | 曝光技術 | zh_TW |
dc.subject | 短通道元件 | zh_TW |
dc.subject | 崩潰電壓 | zh_TW |
dc.subject | VVMOS(V-GROOVE-VERTEX-MOS) | en_US |
dc.title | 雙擴散汲極短通道V型場效電晶體 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |