Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 廖信一 | en_US |
dc.contributor.author | LIAO,XIN-YI | en_US |
dc.contributor.author | 胡迪群 | en_US |
dc.contributor.author | HU,DI-QUN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:08:40Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:08:40Z | - |
dc.date.issued | 1990 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792489049 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55493 | - |
dc.description.abstract | 利用新的方法在矽晶片上薄膜金導線的修復已經被發展出來。金導線浸於酸化的銅電 鍍液。60Hz的交流電經由探針通過金導線。在缺陷處由於焦耳熱引起金屬和電解質界 面處平衡電位的轉移,造成局部的電鍍。同時吾人已經證明沈積銅的表面型態和缺陷 處理的分布是吻合的。而缺陷處理的溫度上升估計大約是攝氏100 度。 藉由掃描式電子顯微鏡,沈積銅的表面型態得以觀察。從測量的截面積和電阻值,吾 人可知沈積銅的電阻系數估計是原先銅的3 至4 倍。除此之外,沈積銅的電阻變化亦 藉由四點探針得以測量。 本實驗顯示出銅覆蓋在缺陷處金線的表面。所以一連串的實驗和計算被提出以解釋這 個現象。吾人已辨證出銅沈積在缺陷處的機構。銅的沈積並非是熱電池效應,因為假 如此現象發生的話,則其溫度的上升將極端的高。因此,吾人認為銅沈積在缺陷處歸 因於變異的電鍍行為( 在60Hz頻率交流電下,銅的沈積回就其極性的快速轉換,引起 局部的銅電鍍) ,除此之外,因為焦耳熱引起平衡電位的轉移將控制著交流電位的效 應。因此,本實驗的結果,實際上是由電鍍和平衡電位的轉移所共同造成局部的銅電 鍍現象。 傳統的修補技術是昂貴且費時的。而此技術的優點乃在於手續簡便,成本低廉且可選 擇性地沈積金屬。顯然,此技術在局部且小區域的修補是非常有用的。 本實驗更深入的研究是必要的,以便更進一步的了解此技術。同時吾人希望在未來, 局部電鍍的過程有更先進的理論和實驗的研究。 #50012663.abs #50012663.abs | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 矽晶片 | zh_TW |
dc.subject | 沈積銅 | zh_TW |
dc.subject | 電阻值 | zh_TW |
dc.subject | 熱電池效應 | zh_TW |
dc.subject | 焦耳熱 | zh_TW |
dc.subject | 電位 | zh_TW |
dc.title | 電子構裝薄膜金導線的自我修復 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |