電子可抹除記憶體模擬模型

Abstract

由於電子可抹除，非改變記憶體非常複雜，所以在完成此記憶體之前，模擬記憶體 功能及製程參數就顯得相當重要。 為了發展模擬模型，我們運用非常通俗的運算表軟體建立模擬模型去預測記憶晶體 臨界電壓對程式脈衝電壓及時間的關係。 我們利用2.0 微米元件製造不同藕合值，記憶體晶胞去測量實際晶胞臨界電壓之變 化，發現實驗結果與模型模擬值非常接近，由此可證明此模擬模型的準確度。