標題: 互補式金氧半鎖定模擬
CMOS latch-up simulation
作者: 林積劭
LIN, JI-SHAO
陳明哲
CHEN, MING-ZHE
電子研究所
關鍵字: 互補式金氧;半鎖定模擬e雜訊;光電流激發
公開日期: 1991
摘要: 由於〝鎖定(Latch-up)〞效應的物理意義相當複雜,以至於模型的建立並不容易。 同時,由於在負電阻區內的特性不穩定,使得量測也有困難存在。本論文中,我們 使用半導體元件模擬軟體PISCES-IIB,模擬出鎖定效應被激發的完整行為,包括堵 塞區(Blocking state),負電阻區,鎖定區(Latched) ,以及激發(Triggering)和 保持(Holding) 兩點附近的區域。不同的激發模式如p+擴散區超電壓(Over-shoot) ,電源超電壓(含punchthrough和impact ionization 兩種崩解型式)等都藉此瞭 解其反應機構。另外,對於光電流激發的啟動過程,我們也以不同的元件結構加以 模擬,以便藉由比對使我們更為深入的瞭解其行為。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430082
http://hdl.handle.net/11536/56120
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