標題: | 複晶矽薄膜電晶體的製程與特性之研究 The fabrication and characterization of polysilicon thin film transistors |
作者: | 鄭金成 ZHENG, JIN-CHENG 雷添福 李崇仁 KEI, TIAN-FU LI, CHONG-REN 電子研究所 |
關鍵字: | 複晶矽薄膜;電晶體製程;特性研究 |
公開日期: | 1991 |
摘要: | 本論文首先研究非晶矽薄膜的固相結晶技術。本技術使用離子佈植的方式,以高能 量將矽離子植入由低壓化學氣相沉積的非晶矽薄膜,再經過低溫長時間的結晶。利 用此技術可以使晶粒的大小增加到2 μm 以上,由這些結晶過的薄膜所製成的薄膜 電晶體,經過加氫的處理後表現出極優異的特性,如開╱關電流比可達10□以上, 場效的載子移動率可達100 cm□/v.s. 。 同時我們也研究〝加氫〞對複晶矽薄膜電晶體的影響。我們發現經過氫電漿或氫離 子佈植的處理後,可大量的降低晶界和晶粒內的缺陷,因此有效的改善了薄膜電晶 體的特性。此外我們亦發現經過氫離子佈植之後的回火處理是很重要的,且其最佳 溫度約 300℃。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430083 http://hdl.handle.net/11536/56121 |
顯示於類別: | 畢業論文 |