複晶矽薄膜電晶體的製程與特性之研究

Abstract

本論文首先研究非晶矽薄膜的固相結晶技術。本技術使用離子佈植的方式，以高能 量將矽離子植入由低壓化學氣相沉積的非晶矽薄膜，再經過低溫長時間的結晶。利 用此技術可以使晶粒的大小增加到2 μm 以上，由這些結晶過的薄膜所製成的薄膜 電晶體，經過加氫的處理後表現出極優異的特性，如開╱關電流比可達10□以上， 場效的載子移動率可達100 cm□/v.s. 。 同時我們也研究〝加氫〞對複晶矽薄膜電晶體的影響。我們發現經過氫電漿或氫離 子佈植的處理後，可大量的降低晶界和晶粒內的缺陷，因此有效的改善了薄膜電晶 體的特性。此外我們亦發現經過氫離子佈植之後的回火處理是很重要的，且其最佳 溫度約 300℃。