矽氧化物之氧電漿改質

标题:	矽氧化物之氧电浆改质 Oxygen plasma modification of siloxane
作者:	许保阳 Xu, Bao-Yang 龙文安 Long, Wen-An 应用化学系硕博士班
关键字:	电浆改质;化学;温度;积体电路;应用化学;APPLIED-CHEMISTRY;CHEMISTRY
公开日期:	1991
摘要:	一般使用高温回火来使SOG (Spin-on-Glass) 转化成积体电路制程上所需要的介电质，但因所需温度太高(＞500 ℃)，不易使用于低温的积体电路制程中。本研究主要针对于低温养电浆进行SOG 改质各种实验条件的探讨。利用FTIR光谱仪来分析商用SOG (Accuglass 111, Siloxane) 化学结构上的变化。实验发现：短时间 (5min)的养电浆处理，在FTIR光谱中，即有明显的变化。亦发现低温(30℃)时所引起的FTIR光谱改变不亚于高温(80∼180 ℃)之氧电浆。至于压力与功率条件，两者有类似的结果，在某一适当值之间，即可使FTIR光谱有最大的变化量。气体流速的影响，则呈现不规则的变化。此外，亦发现紫外光照射对本研究所用之SOG 没有作用，经数十小时照射后，FTIR光谱几乎不变。
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804500001 http://hdl.handle.net/11536/56504
显示于类别：	Thesis

APA	许., Xu, B., 龙., & Long, W. (1991). 矽氧化物之氧电浆改质. http://hdl.handle.net/11536/56504.
Bibtex	@article{许保阳 and Xu1991, title={矽氧化物之氧电浆改质}, author={许保阳 and Xu, Bao-Yang and 龙文安 and Long, Wen-An}, journal={http://hdl.handle.net/11536/56504}, year={1991}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/56504?mode=fulllocale%3Denlocale%3Dzh_CNlocale%3Denlocale%3Dzh_TW}, }