标题: | Factors that affecting the growth of β-SiC thin films from dodecamethylcyclohexasilane |
作者: | 黄士彰 Huang, Shi-Zhang 裘性天 Qiu, Xing-Tian 应用化学系硕博士班 |
关键字: | 氢气电浆;化学气相沉积;薄膜;应用化学;化学;APPLIED-CHEMISTRY;CHEMISTRY |
公开日期: | 1991 |
摘要: | 本实验研究影响以十二甲基环六矽烷为单一前驱物化学气相沉积碳化矽薄膜的各种因 素。 经实验结果发现,于较高的反应器压力、较小的载流气体流速、较低的前驱物挥发温 度下,可得较具结晶性之薄膜;原因可能和反应物被带至基材表面的量有关。另外, 反应完毕后的升温锻烧亦有影响。 而经引入氢气电浆辅助沉积碳化矽薄膜时,成长之薄膜具有晶粒细密、黏着性佳的性 质。当以扫描穿透式电子显微镜做进一步探讨时发现,氢气电浆对化学气相沉积薄膜 前的前清洁及沉积过程均有助益,其原因可能是氢气电浆中的原子态氢使矽基材和成 长中薄膜表面产生较多的成核位置所致。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804500004 http://hdl.handle.net/11536/56507 |
显示于类别: | Thesis |