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dc.contributor.author許相如en_US
dc.contributor.authorXu, Xiang-Ruen_US
dc.contributor.author鄭晃忠en_US
dc.contributor.authorZheng, Huang-Zhongen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:12:57Z-
dc.date.available2014-12-12T02:12:57Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT824430003en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/58655-
dc.description.abstract由於高密度和低功率消耗之記憶體的強烈需求，以薄膜電晶體為負載的CMOS靜態隨 機存取記憶體(SRAM)將佔據大部份的靜態隨機存取記憶體市場。本文探討各種不同 改善薄膜電晶體操作特性的製程方法以期獲取最佳性能。此處發現：純粹快速高溫 回火處理是有潛能取代長時間爐管回火做為非晶矽再結晶時的處理方法，而有助於 提升產能及降低製作成本。同時，由變壓耦合電漿(TCP) 產生的氫氣電漿可以更有 效地填補存在晶粒間的載子捕捉中心。整合這些製程條件，配合汲極補償(offset) 結構，即可容易地以合乎經濟效益的方式生產具有高開啟╱關閉電流比的薄膜電晶 體，應用於高密度靜態隨機存取記憶體元件中。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject靜態zh_TW
dc.subject記億體zh_TW
dc.subject研究zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subject快速高溫回火zh_TW
dc.subject再結晶zh_TW
dc.subject變壓耦合電漿zh_TW
dc.subject氫化zh_TW
dc.subject汲極補償結構.zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.subjectRTAen_US
dc.subjectRecrystallizationen_US
dc.subjectTCPen_US
dc.subjectHydrogenationen_US
dc.subjectOffset-Drain Structure.en_US
dc.title靜態隨機存取記憶體之薄膜電晶體技術之研究zh_TW
dc.titleStudy of the technology of thin film transistors for SRAM'sen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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