标题: | 超薄氮化矽闸极介电层之可靠度研究 A Study on the Reliability of Ultrathin Oxynitride Gate Dielectrics |
作者: | 欧士杰 黄调元 林鸿志 Tiao-Yuan Huang Horng-Chih Lin 电子研究所 |
关键字: | 氮化矽;可靠度;闸极介电层;Oxynitride;Reliability;Gate Dielectrics |
公开日期: | 2003 |
摘要: | 在元件尺寸快速微缩的需求之下,为了获得更佳的元件效能,必须使用超薄闸极介电层。而传统的二氧化矽闸极介电层在厚度小于2奈米时,将会发生相当严重的漏电流问题。氮化矽被认为是在目前的科技之下最佳的解决方案。在本论文中,我们针对超薄氮化矽闸极介电层的可靠度问题进行研究。在负电压不稳定性(NBTI)和热电子入射(HCI)的实验当中,我们对元件生命周期和闸极介电层的构造、氮含量等参数之间的关系作一系列的分析。而我们发现在闸极介电层加入氮原子,将对元件可靠度产生相当大的影响。此外我们使用了电荷帮浦(charge pumping)的方法来分析临界电压飘移和界面缺陷(interface-states)的关系。我们发现基板热电子入射将可以提高界面缺陷修补的速率。但这个方法对于临界电压回复(recovery)并没有太大的帮助。因为这个方法无法改变电荷从其他缺陷(slow states, oxide traps)释放的速度。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009011552 http://hdl.handle.net/11536/80402 |
显示于类别: | Thesis |
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