| 標題: | 銅導線及其障礙層之材質研究 Materials Study of Diffusion Barriers for Copper Interconnect |
| 作者: | 張立 CHANG LI 交通大學材料科學與工程研究所 |
| 關鍵字: | 銅連接線;擴散障礙層;電阻係數;物理氣相沈積法;材料分析;Copper interconnect;Diffusion barrier;Resistivity;Physical vapor deposition;Material analysis |
| 公開日期: | 2000 |
| 官方說明文件#: | NSC89-2215-E009-028 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/88467 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=525772&docId=95663 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
- 銅導線及其障礙層之材質研究(II) / 張立;CHANG LI
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- Effects of NH3-plasma nitridation on the electrical characterizations of low-k hydrogen silsesquioxane with copper interconnects / Liu, PT;Chang, TC;Yang, YL;Cheng, YF;Sze, SM
- Use of WNX as the diffusion barrier for interconnect copper metallization of InGaP-GaAs HBTs / Chang, SW;Chang, EY;Lee, CS;Chen, KS;Tseng, CW
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