Ⅲ族氮化半導體的表面激發參數

Abstract

當快速電子穿越一個固體表面時會產生表面激發。在射入固體之前或射出 固體之後，電子在真空中移動所產生激發的總機率通常用表面激發參數來詮 釋。Ⅲ族氮化物在雷射及發光二極體的應用上具有極大的重要性。在本計劃 中，我們將計算200-2000 eV 能量之電子，以各種不同穿越角度穿越Ⅲ族氮化 半導體表面的表面激發參數。這些參數將根據電磁介電理論加以計算，並使用 與光學資料匹配且滿足總和律所建立的延伸式德魯特介電函式。藉由分析表面 激發參數和電子能量，以及穿越角度的關係，我們將更進一步地找出匹配表面 激發參數的簡單通式。