標題: 適用於矽微波/毫米波元件晶圓級散射參數去嵌化技術之發展
Development of Wafer-Level Scattering-Parameter De-Embedding Technique for Silicon Microwave/Millimeter-Wave Devices
作者: 吳霖?
WU LIN-KUN
交通大學電信工程系
公開日期: 2006
摘要: 本計畫預計以一年的時間,發展適用於矽微波/毫米波元件晶圓級散射參數之去嵌化技術。我們將 適當地設計晶圓上的去嵌化結構(如open、short、thru 等標準結構)來扣除環繞於元件週遭的外部寄生 元件。經由合併運用傳輸線理論、串級結構概念與接地屏蔽技術,進而對待測元件測試結構的針墊與 內連線進行由射頻至毫米波頻段的寬頻特性分析。隨著無線通訊產品操作頻率持續提昇的同時,更加 突顯出矽微波/毫米波元件高頻特性分析之重要性,本應用性研究計畫之執行將可提高高頻量測與元 件模型之準確度。如此一來便可減少研發成本與產品上市時程,對國內通訊技術與經濟發展作出直接 貢獻。
官方說明文件#: NSC95-2221-E009-039
URI: http://hdl.handle.net/11536/89246
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1301784&docId=240119
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