矽鍺非應力層在高速電晶體及射頻元件的應用

標題:	矽鍺非應力層在高速電晶體及射頻元件的應用 Application of Strain-Relaxed SiGe in High Speed Transistor and RF Devices
作者:	荊鳳德 CHIN ALBERT 國立交通大學電子工程學系
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2215-E009-100
URI:	http://hdl.handle.net/11536/91252 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=583875&docId=109703
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。