新世代鐵電非揮發性記憶元件(II)

標題:	新世代鐵電非揮發性記憶元件(II) Next Generation Non-Volatile Ferroelectric Memory(II)
作者:	曾俊元 TSEUNG-YUENTSENG 交通大學電子工程系
公開日期:	2002
官方說明文件#:	NSC91-2215-E009-066
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93059 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=784481&docId=150792
顯示於類別：	研究計畫

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