標題: 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫Ⅲ:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II)
Growth and Characterizations of CVD BST Thin Films(II)
作者: 曾俊元
TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學電子工程學系
關鍵字: 矽晶圓;化學氣相沉積法;鈦酸鍶鋇薄膜;介電薄膜;Silicon wafer;Chemical vapor deposition (CVD);BST thin film;Dielectric thin film
公開日期: 2001
官方說明文件#: NSC90-2212-E009-076
URI: http://hdl.handle.net/11536/93516
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=662731&docId=125584
顯示於類別:研究計畫