利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性

標題:	利用電荷幫浦分佈法研究深次微米N型MOS元件電漿製程傷害之可靠性 Charge pumping Profiling Technique for Reliability Analysis of Plasma Induced Damage in Deep-submicron n-MOSFETs
作者:	莊紹勳 Chung Steve S 國立交通大學電子工程研究所
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2215-E009-107
URI:	http://hdl.handle.net/11536/93759 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=583902&docId=109710
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。