利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究

標題:	利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究 Study of High-K Dielectrics Formation by MOCVD
作者:	趙天生 TIEN-SHENGCHAO 國立交通大學電子物理學系
關鍵字:	有機金屬化學氣相沈積法;高介電閘;製備;MOCVD;High dielectric gate;Formation
公開日期:	2001
官方說明文件#:	NSC90-2215-E009-117
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94576 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=665840&docId=126409
顯示於類別：	研究計畫

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