矽與矽鍺材料及元件之發展---子計畫一：矽與矽鍺材料及物理特性研究

標題:	矽與矽鍺材料及元件之發展---子計畫一：矽與矽鍺材料及物理特性研究 The Study of Si/SiGe Material and Physical Characterization
作者:	施敏交通大學電子工程系
關鍵字:	矽;鍺;化學氣相沈積法;化學分子束磊晶;超晶格;量子霍耳效應;Silicon;Germanium;Chemical vapor deposition (CVD);Chemical molecular epitaxy (CME);Superlattice;Quantum hall effect
公開日期:	1997
官方說明文件#:	NSC86-2215-E009-020
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95567 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=293153&docId=53655
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