次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制

標題:	次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制 Experimental Study and Suppression of ESD/Latch-Up in Submicron CMOS
作者:	陳明哲 CHEN MING-JER 國立交通大學電子工程學系
關鍵字:	靜電放電;鎖定;基座偏壓產生器;次微米超大型積體電路;ESD;Latch-up;Substrate bias generator;Submicron VLSI
公開日期:	1996
官方說明文件#:	NSC85-2215-E009-048
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95770 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234622&docId=43069
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