標題: 砷離子佈植砷化鎵的特性研究
Characterization of Arsenic Ion Implanted GaAs
作者: 張振雄
CHANG CHEN-SHIUNG
國立交通大學光電工程研究所
關鍵字: 砷化鎵;非晶質;深能階缺陷;薄膜;GaAs;Amorphous;Deep level trap;Thin film
公開日期: 1996
官方說明文件#: NSC85-2215-E009-064
URI: http://hdl.handle.net/11536/96120
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234693&docId=43086
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