標題: 量子井線之製造與研究
Fabrication and Evaluation of Quantum Well Wires
作者: 黃凱風
HUANG KAI-FENG
交通大學電子物理研究所
關鍵字: 量子井線;傾斜超晶格;活性離子蝕刻;Quantum well wires;Tilted superlattice;Reactive ion etch
公開日期: 1993
摘要: 本計畫將採用Mesa蝕刻及傾斜超晶格法分別製 作一維電子系統之量子井線,Mesa蝕刻法中週期出 現線條圖案之印製係使用類似製作DFB雷射光柵所 用之全相製版技術(HolographicLithography),而Mesa則以 活性離子蝕刻法製成.傾斜超晶格法係在稍微朝( 011)方向斜傾(100)晶片之台階上長傾斜超晶格,使電子受到超晶格週期性位能變化之影響,製成量 子井線.製成之樣品將做TEM分析,並量取其 Photoluminescence及PhotoluminescenceExcitation光譜,以瞭 解其光電特性.
官方說明文件#: NSC82-0208-M009-040
URI: http://hdl.handle.net/11536/97886
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=58334&docId=8570
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