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Browsing by Author "Loong Wen-an"

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    0.25-0.35微米圖案轉移用石英蝕刻調細式相移光罩之最佳化模擬及其研製
    (1995)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    國立交通大學應用化學研究所
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    193奈米微影用嵌附式減光型相移圖罩之研製與模擬
    (2000)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
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    193奈米微影用嵌附式減光型相移圖罩之研製與模擬
    (2000)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    國立交通大學應用化學系
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    193奈米微影解像度增進技術---高透射率嵌附層之研製、應用探討與模擬
    (2002)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
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    193奈米微影高透射率嵌附層應用於透射率控制圖罩之模擬、材料、蝕刻與性質探討
    (2004)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
    解像度增進技術一般可分為偏軸發光、相移圖罩與表層成像三種。偏軸發光已屬微 影機台基本配備；表層成像製程複雜，業界接受度不高；相移圖罩則仍有廣大之研究空 間。 嵌附式減光型相移圖罩，可適用於248、193、157、126、13、0.8奈米，涵蓋深紫 外光、極短紫外光、X-光，可謂全部微影波長皆可適用；且尚有製備較易，適用於各式 圖形之優點，因此，其重要性無庸置疑。嵌附層正規透射率T%~6%，高透射率通常定義 T%~15-35。 本計畫主要探討193奈米微影高透射率嵌附層，其材料、光學、物性、化性、電漿 蝕刻等性質。以模擬探討應用於透射率控制圖罩成像性質，與相關光學鄰近效應之修 正，並實作透射率控制圖罩。 本計畫為製備90至45奈米線幅節點二維接觸孔之前瞻性研究，並兼顧學術性、應用 性與研究生培訓。
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    193奈米高透射率嵌附層之研製與作為濕浸式微影光學鄰近效應修正用散條之性質探討
    (2006)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
    解像度增進技術一般可分為偏軸發光、相移圖罩與表層成像三種。偏軸發光已屬微影機 台基本配備；表層成像製程複雜，業界接受度不高；相移圖罩則仍有廣大之研究空間。193 奈米濕浸式微影，搭配橫電偏振光光源，為目前顯學，將主導全球未來數年光學微影之研發。 高透射率嵌附層材料除可應用於嵌附式減光型相移圖罩外，亦可應用為光學鄰近效應修 正用之散條，因此，其重要性無庸置疑。嵌附層正規透射率T%~6%，高透射率通常定義 T%~15-35。 本計畫分二部份，一為193 奈米微影高透射率嵌附層材料之研製，此為延續過去數年之 研究議題；二為模擬探討應用193 奈米濕浸式微影光學鄰近效應修正用之散條之性質。第二 部份構想似為申請人首創，因尚未見文獻報導。第二部份重點在探討散條之透射率、相對相 位差對線幅、焦深、禁止間距等之影響，尋求散條之寬度、透射率、相對相位差之最適化參 數。初期探討以單一散條為主，如有餘力，亦擬探討二散條與三散條。 本計畫為製備65至45奈米線幅技術節點之前瞻性研究，並兼顧學術性、應用性與研究生 培訓。
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    193奈米高透射率嵌附層之研製與應用於橫電偏振光、偏軸發光、減光型相移圖罩組合之濕浸式微影成像特性模擬探討
    (2005)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
    解像度增進技術一般可分為偏軸發光、相移圖罩與表層成像三種。偏軸發光已屬微影機 台基本配備；表層成像製程複雜，業界接受度不高；相移圖罩則仍有廣大之研究空間。193 奈米濕浸式微影，搭配橫電偏振光光源，為目前顯學，將主導全球未來數年光學微影之研發。 嵌附式減光型相移圖罩，可適用於248、193、157、126、13、0.8奈米，涵蓋深紫外光、 極短紫外光、X-光，可謂全部微影波長皆可適用；且尚有製備較易，適用於各式圖形之優點， 因此，其重要性無庸置疑。嵌附層正規透射率T%~6%，高透射率通常定義T%~15-35。 本計畫分二部份，一為193 奈米微影高透射率嵌附層材料之研製，此為延續過去數年之 研究議題；二為模擬探討應用於橫電偏振光、偏軸發光、減光型相移圖罩組合之濕浸式微影 成像特性。第二部份構想似為申請人首創，因尚未見文獻報導。 本計畫為製備65至45奈米線幅技術節點之前瞻性研究，並兼顧學術性、應用性與研究生 培訓。
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    嵌附式減光型相移圖罩之模擬與製備
    (1999)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
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    嵌附式減光式相移光罩之模擬與製備
    (1998)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    國立交通大學應用化學系
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    嵌附減光式相移光罩吸光相移層研製
    (1997)
    龍文安
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    交通大學應用化學系
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    嵌附調細式相移光罩研製
    (1996)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    國立交通大學應用化學研究所
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    相同劑量下45奈米節點微影全程禁止間距及圖罩偏差增大因子之改善與相關薄膜研製
    (2008)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    國立交通大學應用化學系(所)
    本計畫之目的為模擬探討45 奈米節點，相同照射（曝光）劑量條件下，對全程連 續間距（間距90 至500 奈米）消除禁止間距、降低圖罩偏差增大因子，並研製相關薄 膜。 本計畫構想重點分二部分： 一、模擬探討限定全程間距使用相同照射（曝光）劑量，以符合晶圓廠實際操作條 件；又擬使用應用較廣、線路幾無限制之減光型相移圖罩，而不用交互型（雷文生型） 相移圖罩，故較具實際應用價值。擬使用全條減光散條，透射率>0、對基材相對相位差 >0，散條寬度可較大，實際製備較易；傳統遮光鉻膜散條，透射率=0、對基材相對相位 差=0，寬度受限，製備不易。另外，45 奈米接觸孔，本計畫擬使用申請人實驗室改良 之透射率控制圖罩進行模擬，此為他處所無。模擬探討將優先以正規化成像對數斜率為 指標，並輔以田口實驗設計法。 二、根據模擬探討結果，實作適用於全條減光散條與改良透射率控制圖罩之嵌附層 薄膜。受限於設備因素，無法實作45 奈米節點圖罩（光罩）上散條與透射率控制圖罩。 本計畫對改善45奈米節點之禁止間距與圖罩偏差增大因子二大棘手議題有所助 益，有助於消除減光型相移圖罩圖案設計之間距限制，相關薄膜並另有其他廣泛用途。 本計畫亦為下世代32奈米線幅技術節點之前瞻性研究，且兼顧學術性、應用性與研究生 培訓。
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    電子束微影之鄰近效應修正
    (1999)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
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    電子束微影近距效應校正參數求測
    (1998)
    龍文安
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    交通大學應用化學系
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    高敏感光罩用電子束阻劑系統之研究
    (1993)
    龍文安
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    Loong Wen-an
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    交通大學應用化學系
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