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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Tahui Wang
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顯示 21 到 40 筆資料,總共 45 筆
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公開日期
標題
作者
1994
單晶微波積體電路之元件傳輸物理、元件模式化與一2 GHz降頻器之設計
謝定華
;
Ting-Hua Hsieh
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1994
寄生在CMOS中之BJT的特性分析與模式
廖婉妤
;
Wan-Yu Liao
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1998
射頻CMOS特性量測與電路模式
韓承憲
;
Cheng Xian Han
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2000
射頻CMOS雜訊數值模擬
張育造
;
Yu-Tsao Chang
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2005
新型PHINES和PREM快閃記憶體及氮化矽型發光電晶體之研究
葉致鍇
;
Chih-Chieh Yeh
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1994
次微米MOS中的熱載子效應
陳君強
;
Jiun-Chiang Chen
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1995
次微米n-MOS在低汲極偏壓下,因電子間的交互作用所產生之閘極漏電流
林紹祺
;
Lin, Shao-Chi
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2006
氮化矽快閃式記憶元件可靠度之探討
古紹泓
;
Shaw-Hung Gu
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2017
氮化矽快閃記憶體中資料儲存模式 對內部電荷橫向傳輸之影響
林曉宜
;
汪大暉
;
Lin, Hsiao-Yi
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2004
氮化矽快閃記憶體可靠性量測與分析
馬煥淇
;
Ma, Huan-chi
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2003
氮化矽記憶元件內電荷分佈與可靠性分析
王銘德
;
Ming-Te Wang
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2000
氮化矽記憶元件可靠性量測與分析
古紹泓
;
Shau-Hong Ku
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2004
氮化矽記憶體資料保存行為之數值分析模擬
許智維
;
Hsu Chih-Wei
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1999
深次微米元件中熱載子效應所引發之氧化層可靠度
蔣汝平
;
Lu-Ping Chiang
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2007
矽及鍺通道P型金氧半電晶體二維量子井模擬
邱子華
;
Tzu-Hua Chiu
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2002
積體電路元件中因氧化層漏電所引發可靠性問題的探討
鄒年凱
;
Niain-Kai Zous
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1998
薄氧化層n型與p 型金氧半元件中熱載子效應對汲極電流的退化
黃立元
;
Li-Yuan Huang
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1996
薄氧化層的金氧半元件中閘極漏電流之模式
沈冠岳
;
Shen, Kuan-Yueh
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
2003
超薄氧化層n-MOSFET元件之低頻雜訊分析
游建文
;
Jian-Wen You
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所
1999
超薄閘極氧化層電荷傳輸和C-V模擬與特性
陳旻政
;
Min-Cheng Chen
;
汪大暉
;
Tahui Wang
;
電子研究所