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公開日期標題作者
1-七月-2013具有奈米線通道之半導體元件的製程及藉此形成之半導體元件郭柏儀; 趙天生; 呂宜憲
1-一月-2015具有奈米線通道之半導體元件的製程及藉此形成之半導體元件郭柏儀; 趙天生; 呂宜憲
2010具有新穎結構非揮發性記憶體江宗育; Chiang, Tsung-Yu; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2011具矽奈米晶體捕捉層之底部閘極多晶矽薄膜非揮發性記憶體元件廖銘楷; Liao, Ming-Kai; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 理學院應用科技學程
2010具粗糙穿隧氧化層及阻障氧化層SONOS記憶體之研究楊才民; Yang, Tsai-Min; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2008具高介電常數閘極絕緣層之低溫多晶矽薄膜電晶體可靠度研究葉啟瑞; Yeh, Chi-Ruei; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2009具高介電常數閘極絕緣層之低溫複晶矽薄膜電晶體之研究劉聿民; Liu, Yu-Min; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2007具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究馬鳴汶; Ming-Wen Ma; 雷添福; 趙天生; Tan-Fu Lei; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2001利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究趙天生; TIEN-SHENGCHAO; 國立交通大學電子物理學系
2008利用凝膠轉塗佈法製備高介電常數鈦酸鎳閘極介電質層於複晶矽薄膜電晶體之研究顏榮家; 趙天生; 電子物理系所
2003利用區域性應力通道提高電子遷移率之n型金氧半場效電晶體呂宗宜; Tsung-Yi Lu; 趙天生; 電子物理系所
2007利用多層閘極之增強型應力記憶技術製作在n型金氧半場效電晶體之研究王智盟; Jr Meng Wang; 趙天生; Tien Sheng Chao; 電子物理系所
2010利用尖角效應提高寫入電場於薄膜電晶體之記憶體元件應用林岷臻; Lin, Mic-Chen; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2009利用接觸蝕刻停止層以及下凹式源極和汲極對電晶體載子遷移率提升之研究穆政昌; Mu, Zheng-Chang; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2003利用氮處理改善鈷鈦酸高介電閘極氧化層黃宗彬; 趙天生; 電子物理系所
2007利用溶膠旋轉塗佈法備製鈦酸鈷高介電層高國興; Kuo-Hsing Kao; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2016利用週期脈衝氧化結合臨場蝕刻技術改善表面特性之鍺通道鰭式場效電晶體陳柏成; 趙天生; Chen, Po-Cheng; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2012前表面場與氧化鋁鈍化對於交指背接 觸電極矽晶太陽能電池之研究解偉斌; Hseih, Wei-Ping; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2004動態臨界電壓金氧半電晶體之特性及可靠性研究李耀仁; Yao-Jen Lee; 黃調元; 趙天生; Tiao-Yuan Huang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2010動態臨界電晶體之精簡物理模型與應用王冠迪; Wang, Kuan-Ti; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
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