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1994單晶微波積體電路之元件傳輸物理、元件模式化與一2 GHz降頻器之設計謝定華; Ting-Hua Hsieh; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1994寄生在CMOS中之BJT的特性分析與模式廖婉妤; Wan-Yu Liao; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1998射頻CMOS特性量測與電路模式韓承憲; Cheng Xian Han; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2000射頻CMOS雜訊數值模擬張育造; Yu-Tsao Chang; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2005新型PHINES和PREM快閃記憶體及氮化矽型發光電晶體之研究葉致鍇; Chih-Chieh Yeh; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1994次微米MOS中的熱載子效應陳君強; Jiun-Chiang Chen; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1995次微米n-MOS在低汲極偏壓下,因電子間的交互作用所產生之閘極漏電流林紹祺; Lin, Shao-Chi; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2006氮化矽快閃式記憶元件可靠度之探討古紹泓; Shaw-Hung Gu; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2017氮化矽快閃記憶體中資料儲存模式 對內部電荷橫向傳輸之影響林曉宜; 汪大暉; Lin, Hsiao-Yi; Tahui Wang; 電子研究所
2004氮化矽快閃記憶體可靠性量測與分析馬煥淇; Ma, Huan-chi; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2003氮化矽記憶元件內電荷分佈與可靠性分析王銘德; Ming-Te Wang; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2000氮化矽記憶元件可靠性量測與分析古紹泓; Shau-Hong Ku; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2004氮化矽記憶體資料保存行為之數值分析模擬許智維; Hsu Chih-Wei; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1999深次微米元件中熱載子效應所引發之氧化層可靠度蔣汝平; Lu-Ping Chiang; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2007矽及鍺通道P型金氧半電晶體二維量子井模擬邱子華; Tzu-Hua Chiu; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2002積體電路元件中因氧化層漏電所引發可靠性問題的探討鄒年凱; Niain-Kai Zous; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1998薄氧化層n型與p 型金氧半元件中熱載子效應對汲極電流的退化黃立元; Li-Yuan Huang; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1996薄氧化層的金氧半元件中閘極漏電流之模式沈冠岳; Shen, Kuan-Yueh; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2003超薄氧化層n-MOSFET元件之低頻雜訊分析游建文; Jian-Wen You; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
1999超薄閘極氧化層電荷傳輸和C-V模擬與特性陳旻政; Min-Cheng Chen; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
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