瀏覽 的方式: 作者 趙天生

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公開日期標題作者
2010動態臨限電壓場效電晶體之零溫度係數點模型研究林琬琦; Lin, Wan-Chyi; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2006區域性應力通道之氧化鉿n型金氧半場效電晶體特性及可靠度之改善邱德馨; Te-Hsin Cjiu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2012單分子層摻雜的研究及其應用王貽泓; Wang, Yi-Hong; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2016單分子層摻雜與微波退火形成超淺摻雜之研究卓大鈞; 趙天生; 李耀仁; Cho, Ta-Chun; Chao, Tien-Shang; Lee, Yao-Jen; 電子物理系所
2004在(111)晶面基板上利用區域性應力通道提高電子遷移率之n型金氧半場效電晶體郭雅欣; Ya-Hsin Kuo; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2017垂直堆疊N型多晶矽無接面奈米線電晶體及其串聯電阻秦俊傑; 趙天生; Chin, Chun-Chieh; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2016多晶矽超薄奈米帶無接面電晶體於不同基底絕緣材料之研究鄭茜珊; 趙天生; Cheng, Chien-Shan; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2012多重應力閘極之新穎應力記憶技術製作在n型金氧半場效電晶體之研究呂宗宜; Lu, Tsung-Yi; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2013太陽能電池轉換效率改善之研究林哲緯; Lin,Je-Wei; 趙天生; Chao,Tien-Sheng; 電子物理系所
2014奈米矽電晶體應變效應之研究張添舜; Chang,Tien-Shun; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2011奈米線薄膜電晶體元件之研究呂宜憲; Lu, Yi-Hsien; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2004完全鎳自我對準矽化源/汲與閘極之薄膜電晶體研究王仁杰; Ren-Jie Wang; 趙天生; 電子物理系所
2014應力對具自我對準栓塞式閘極結構之新穎閘極環繞式多晶矽奈米通道搭配抬升式源極/汲極薄膜電晶體影響之研究鄧永旌; Teng, Yung-Ching; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 理學院應用科技學程
2008應用新穎低溫微波退火製程製作奈米級薄膜電晶體之分析研究萬嘉塵; Wan, Chia-Chen; 趙天生; 李耀仁; Chao, Tien Sheng; Lee, Yao-Jen; 電子物理系所
2014應用於三維積體電路與系統面板之新穎奈米電子元件開發趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2015應用於三維積體電路與系統面板之新穎奈米電子元件開發趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2016應用於三維積體電路與系統面板之新穎奈米電子元件開發趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2013應用於三維結構電路整合之薄膜電晶體趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2011應用於三維結構電路整合之薄膜電晶體趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2012應用於三維結構電路整合之薄膜電晶體趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)