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國立陽明交通大學機構典藏
瀏覽 的方式: 作者 Kwong, DL
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標題
作者
2004
3D GOI CMOSFETs with novel IrO2(Hf) dual gates and high-kappa dielectric on 1P6M-0.18 mu m-CMOS
Yu, DS
;
Chin, A
;
Laio, CC
;
Lee, CF
;
Cheng, CF
;
Chen, WJ
;
Zhu, C
;
Li, MF
;
Yoo, WJ
;
McAlister, SP
;
Kwong, DL
;
交大名義發表
;
National Chiao Tung University
1-三月-2004
Al2O3-Ge-On-insulator n- and p-MOSFETs with fully NiSi and NiGe dual gates
Yu, DS
;
Huang, CH
;
Chin, A
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Cho, BJ
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十一月-2004
Alternative surface passivation on germanium for metal-oxide-semiconductor applications with high-k gate dielectric
Wu, N
;
Zhang, QC
;
Zhu, CX
;
Chan, DSH
;
Li, MF
;
Balasubramanian, N
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
10-五月-2004
Effect of surface NH3 anneal on the physical and electrical properties of HfO2 films on Ge substrate
Wu, N
;
Zhang, QC
;
Zhu, CX
;
Yeo, CC
;
Whang, SJ
;
Chan, DSH
;
Li, MF
;
Cho, BJ
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
Du, AY
;
Tung, CH
;
Balasubramanian, N
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
4-十月-2004
Electrical characteristics and suppressed boron penetration behavior of thermally stable HfTaO gate dielectrics with polycrystalline-silicon gate
Yu, XF
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Chin, A
;
Du, AY
;
Wang, WD
;
Kwong, DL
;
電子物理學系
;
Department of Electrophysics
20-九月-2004
Electron mobility in Ge and strained-Si channel ultrathin-body metal-oxide semi conductor field-effect transistors
Low, T
;
Li, MF
;
Shen, C
;
Yeo, YC
;
Hou, YT
;
Zhu, CX
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十二月-2003
Fully silicided NiSi and germanided NiGe dual gates on SiO2 n- and p-MOSFETs
Yu, DS
;
Wu, CH
;
Huang, CH
;
Chin, A
;
Chen, WJ
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2003
Fully silicided NiSi and germanided NiGe dual gates on SiO2/Si and Al2O3/Ge-on-insulator MOSFETs
Huang, CH
;
Yu, DS
;
Chin, A
;
Wu, CH
;
Chen, WJ
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Cho, BJ
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-2003
Fully silicided NiSi gate on La2O3 MOSFETs
Lin, CY
;
Ma, MW
;
Chin, A
;
Yeo, YC
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-二月-2005
Germanium pMOSFETs with Schottky-barrier germanide S/D, high-kappa gate dielectric and metal gate
Zhu, SY
;
Li, R
;
Lee, SJ
;
Li, MF
;
Du, AY
;
Singh, J
;
Zhu, CX
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2003
High density RF MIM capacitors using high-kappa AlTaOx dielectrics
Huang, CH
;
Yang, MY
;
Chin, A
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2004
High performance metal-gate/high-kappa, MOSFETs and GaAs compatible RF passive devices on Ge-on-Insulator tlechnology
Chin, A
;
Kao, HL
;
Yu, DS
;
Liao, CC
;
Zhu, C
;
Li, MF
;
Zhu, SY
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-五月-2003
High-density MIM canpacitors using AlTaOx dielectrics
Yang, MY
;
Huang, CH
;
Chin, A
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-二月-2003
A high-density MIM capacitor (13 fF/mu m(2)) using ALD HfO2 dielectrics
Yu, XF
;
Zhu, CX
;
Hu, H
;
Chin, A
;
Li, MF
;
Cho, BJ
;
Kwong, DL
;
Foo, PD
;
Yu, MB
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-九月-2003
High-performance microwave coplanar bandpass and bandstop filters on Si substrates
Chan, KT
;
Chin, A
;
Li, MF
;
Kwong, DL
;
McAlister, SP
;
Duh, DS
;
Lin, WJ
;
Chang, CY
;
電子工程學系及電子研究所
;
電信工程研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Institute of Communications Engineering
1-十二月-2003
High-performance MIM capacitor using ALD high-k HfO2-Al2O3 laminate dielectrics
Ding, SJ
;
Hu, H
;
Lim, HF
;
Kim, SJ
;
Yu, XF
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Cho, BJ
;
Chan, DSH
;
Rustagi, SC
;
Yu, MB
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十一月-2003
Integrated antennas on Si with over 100 GHz performance, fabricated using an optimized proton implantation process
Chan, KT
;
Chin, A
;
Lin, YD
;
Chang, CY
;
Zhu, CX
;
Li, MF
;
Kwong, DL
;
McAlister, S
;
Duh, DS
;
Lin, WJ
;
電子工程學系及電子研究所
;
電信工程研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
;
Institute of Communications Engineering
1-七月-2003
Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high-density MIM capacitors
Kim, SJ
;
Cho, BJ
;
Li, MF
;
Zhu, CX
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-一月-2004
Light emission near 1.3 mu m using ITO-Al2O3-Si0.3Ge0.7-Si tunnel diodes
Lin, CY
;
Chin, A
;
Hou, YT
;
Li, MF
;
McAlister, SP
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-十月-2004
Low temperature MOSFET technology with Schottky barrier source/drain, high-K gate dielectric and metal gate electrode
Zhu, SY
;
Yu, HY
;
Chen, JD
;
Whang, SJ
;
Chen, JH
;
Shen, C
;
Zhu, CX
;
Lee, SJ
;
Li, MF
;
Chan, DSH
;
Yoo, WJ
;
Du, AY
;
Tung, CH
;
Singh, J
;
Chin, A
;
Kwong, DL
;
電子工程學系及電子研究所
;
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics